据韩国《每日经济》8月18日报道,一名在三星工作28年的全姓工程师近日在首尔中央地方法院作证称,中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)2016年成立初期,包括CEO和CTO在内的管理层,就计划获取三星的DRAM核心技术资料,而非从零开始自主研发。该证词显示,长鑫存储自成立以来,便试图通过窃取三星电子的关键技术来开发其产品。成立十余年间,长鑫存储迅速发展成为全球DRAM市场第四大厂商,仅次于三星电子、SK海力士和美光科技,并于近期在中国证券交易所上市。截图文字显示,该信息来自韩国法院证词,并有望成为国际诉讼材料。画面可见长鑫存储标志建筑外观。该事件涉及DRAM半导体领域核心技术的保密与竞争。相关法律程序仍在进行中。